參數(shù)資料
型號： IRF7307PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 294K
代理商： IRF7307PBF
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
VGS
1.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
VGS
1.5V
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
1
10
100
1.5
2.0
V , Gate-to-Source Voltage (V)
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T = 25°C
T = 150°C
D
I
A
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40 -20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160
R
D
(
A
V = 4.5V
I = 4.3A
0
300
600
900
1200
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
V
G
A
I = 2.6A
V = 16V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 11
相關PDF資料
PDF描述
IRF7309IPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7309QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF730S HEXFET POWER MOSFET
IRF7311PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7311 HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7307QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSFET
IRF7307QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7307TR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, DUAL N/P-CHANNEL, 20V, 4.3A, SO-8
IRF7307TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.7A/4.7A 8-Pin SOIC T/R
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