參數(shù)資料
型號： IRF7201PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 183K
代理商： IRF7201PBF
IRF7201PbF
www.irf.com
3
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
3.0V
VGS
D
I
1
10
100
0.1
1
10
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
3.0V
VGS
1
10
100
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
T = 25°C
T = 150°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
A
V = 10V
20μs PULSE WIDTH
Fig 4.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
相關PDF資料
PDF描述
IRF7201 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRF7204PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7204 TRI N PLUG M 0-48 NO SEAL
IRF7205PBF HEXFET Power MOSFET
IRF720SPBF HEXFET POWER MOSFET (VDSS = 400V , RDS(on) = 1.8ヘ , ID = 3.3A )
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7201TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7201TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7201TRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 30 V 2.5 W 19 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
IRF7202 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SO
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