參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7201
廠商： International Rectifier
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大小： 114K
代理商： IRF7201
IRF7201
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
30
–––
––– 0.024 –––
–––
––– 0.030
–––
––– 0.050
1.0
–––
5.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
19
–––
2.3
–––
6.3
–––
7.0
–––
35
–––
21
–––
19
–––
550
–––
260
–––
100
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 7.3A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 3.7A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 15V, I
D
= 2.3A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
= 4.6A
V
DS
= 24V
V
GS
= 10V, See Fig. 10
V
DD
= 15V
I
D
= 4.6A
R
G
= 6.2
R
D
= 3.2
,
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 9
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
1.0
25
-100
100
28
3.5
9.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 4.6A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 4.6A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
48
73
1.2
73
110
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
58
2.5
S
D
G
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. (See fig. 11)
I
SD
≤
4.6A, di/dt
≤
120A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%
When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec
V
DD
= 15V, starting T
J
= 25°C, L = 6.6mH
R
G
= 25
, I
AS
= 4.6A. (See Figure 8)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7204PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7204 TRI N PLUG M 0-48 NO SEAL
IRF7205PBF HEXFET Power MOSFET
IRF720SPBF HEXFET POWER MOSFET (VDSS = 400V , RDS(on) = 1.8ヘ , ID = 3.3A )
IRF720STRR hexfet
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7201HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC
IRF7201PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7201TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7201TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7201TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*