參數(shù)資料
型號(hào): IRF6712SPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: DirectFET Power MOSFET
中文描述: DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大小: 637K
代理商: IRF6712SPBF
8
www.irf.com
DirectFET
(Small Size Can, Q-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
Outline Dimension, SQ Outline
DirectFET
Part Marking
Line above the last character of
the date code indicates "Lead-Free"
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
R
P
IMPERIAL
MIN
0.187
0.146
0.108
0.014
0.019
0.019
0.035
0.031
N/A
0.037
0.079
0.0235
0.0008
0.003
MIN
4.75
3.70
2.75
0.35
0.48
0.48
0.88
0.78
N/A
0.93
2.00
0.616
0.020
0.08
MAX
4.85
3.95
2.85
0.45
0.52
0.52
0.92
0.82
N/A
0.97
2.10
0.676
0.080
0.17
METRIC
DIMENSIONS
MAX
0.191
0.156
0.112
0.018
0.020
0.020
0.036
0.032
N/A
0.038
0.083
0.0274
0.0031
0.007
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6712STRPbF DirectFET Power MOSFET
IRF6716MPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6716MTRPbF DirectFET Power MOSFET
IRF6726MPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6726MTRPbF DirectFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF6712SPBF_08 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET TM Power MOSFET
IRF6712SPBF_09 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET
IRF6712STR1PBF 功能描述:MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6712STRPBF 功能描述:MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6713SPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET TM Power MOSFET