型號: | IRF6668 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | DirectFET Power MOSFET |
中文描述: | DirectFET功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 9/9頁 |
文件大?。?/td> | 256K |
代理商: | IRF6668 |
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PDF描述 |
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IRF6678 | DirectFET Power MOSFET |
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參數(shù)描述 |
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IRF6668PBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
IRF6668TR1 | 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF6668TR1PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 80V 55A 15mOhm 22nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF6668TRBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
IRF6668TRPBF | 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |