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參數(shù)資料
| 型號： | IRF6668 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DirectFET Power MOSFET |
| 中文描述： | DirectFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 256K |
| 代理商： | IRF6668 |
www.irf.com
7
(Medium Size Can, Z-Designation). Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
Fig 17. for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
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+
-
+
+
+
-
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-
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6678 | DirectFET Power MOSFET |
| IRF7103PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7105PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF7105 | EVALUATION KIT |
| IRF7205 | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF6668PBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
| IRF6668TR1 | 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6668TR1PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 80V 55A 15mOhm 22nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6668TRBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
| IRF6668TRPBF | 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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