參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6620
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFETPower MOSFET
中文描述： HEXFETPower MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 180K
代理商： IRF6620
www.irf.com
7
Note: Controlling dimensions
are in mm
MAX
0.250
0.201
0.156
0.018
0.028
0.028
0.056
0.033
0.017
0.039
0.095
0.028
0.003
MIN
0.246
0.189
0.152
0.014
0.027
0.027
0.054
0.032
0.015
0.035
0.090
0.023
0.001
MAX
6.35
5.05
3.95
0.45
0.72
0.72
1.42
0.84
0.42
1.01
2.41
0.70
0.08
MIN
6.25
4.80
3.85
0.35
0.68
0.68
1.38
0.80
0.38
0.88
2.28
0.59
0.03
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
DIMENSIONS
METRIC
IMPERIAL
DirectFET
(Medium Size Can, X-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
Outline Dimension, MX Outline
DirectFET
Part Marking
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PDF描述
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IRF6637TR1 DirectFETPower MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF6620TR1PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6620TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6620TRPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6621 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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