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參數(shù)資料
| 型號： | IRF6617TR1 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 170K |
| 代理商： | IRF6617TR1 |
4
www.irf.com
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 9.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
2.023 0.000678
19.48 0.240237
21.78 2.0167
14.71 58
25
50
75
100
125
150
TJ , Junction Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
ID
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
0
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6617 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF6620 | HEXFETPower MOSFET |
| IRF6626 | DirectFET TM Power MOSFET |
| IRF6635PBF | DirectFET Power MOSFET |
| IRF6635TRPbF | DirectFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF6617TR1 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor Power Dissipation:2.1W |
| IRF6617TR1PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6617TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6617TRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6618 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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