參數(shù)資料
型號： IRF6612TR1
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： IRF6612TR1
6
www.irf.com
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Switching Time Test Circuit
Switching Time Waveforms
On-Resistance vs. Gate Voltage
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Gate Charge Test Circuit
Unclamped Inductive Test Circuit
and Waveform
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
VGS
V
GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
RD
)
ID = 24A
TJ = 25°C
TJ = 125°C
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
25
50
75
100
125
150
EA
ID
TOP 5.3A
6.2A
BOTTOM19A
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