參數(shù)資料
型號(hào): IRF6607TR1
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET
中文描述: 功率MOSFET
文件頁數(shù): 7/11頁
文件大?。?/td> 201K
代理商: IRF6607TR1
www.irf.com
7
Fig 15.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Recovery
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"#""
"#""&#
$%%
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 16.
Gate Charge Waveform
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6608 lHEXFET Power MOSFET
IRF6611 DirectFET Power MOSFET
IRF6612 HEXFET Power MOSFET
IRF6612TR1 HEXFET Power MOSFET
IRF6614 DirectFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF6608 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6608TR1 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6609 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6609TR1 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6609TR1PBF 功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube