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參數(shù)資料
| 型號： | IRF6607 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 10/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 201K |
| 代理商： | IRF6607 |
10
www.irf.com
DirectFET
(Showing component orientation).
Tape & Reel Dimension
METRIC
MAX
N.C
N.C
13.2
N.C
N.C
18.4
14.4
15.4
MIN
330.0
20.2
12.8
1.5
100.0
N.C
12.4
11.9
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
MAX
N.C
N.C
0.520
N.C
N.C
0.724
0.567
0.606
MIN
12.992
0.795
0.504
0.059
3.937
N.C
0.488
0.469
IMPERIAL
STANDARD OPTION
(QTY 4800)
NOTE: Controlling dimensions in mm
Std reel quantity is 4800 parts. (ordered as IRF6607). For 1000 parts on 7" reel,
order IRF6607TR1
METRIC
MAX
N.C
N.C
12.8
N.C
N.C
13.50
12.01
12.01
IMPERIAL
MIN
6.9
0.75
0.53
0.059
2.31
N.C
0.47
0.47
TR1 OPTION
(QTY 1000)
MIN
177.77
19.06
13.5
1.5
58.72
N.C
11.9
11.9
MAX
N.C
N.C
0.50
N.C
N.C
0.53
N.C
N.C
REEL DIMENSIONS
DirectFET
(MediumSize Can, T-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
Substrate and PCB Layout, MT Outline
0
0
1
2
34
)0
50
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6607TR1 | Power MOSFET |
| IRF6608 | lHEXFET Power MOSFET |
| IRF6611 | DirectFET Power MOSFET |
| IRF6612 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF6612TR1 | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF6607TR1 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6608 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6608TR1 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6609 | 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6609TR1 | 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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