參數(shù)資料
型號(hào)： IRF646
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 14A, 275V, 0.280 Ohm, N-Channel Power MOSFET
中文描述： 14 A, 275 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 60K
代理商： IRF646
4-219
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 16. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 17. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 18. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 19. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 20. GATE CHARGE WAVEFORMS
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
0.3
μ
F
12V
BATTERY
50k
V
DS
S
DUT
D
G
I
G(REF)
0
(ISOLATED
SUPPLY)
V
DS
0.2
μ
F
CURRENT
REGULATOR
I
D
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
I
G
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
SAME TYPE
AS DUT
Q
g(TOT)
Q
gd
Q
gs
V
DS
0
V
GS
V
DD
I
G(REF)
0
IRF646
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6604 Power MOSFET
IRF6607 Power MOSFET
IRF6607TR1 Power MOSFET
IRF6608 lHEXFET Power MOSFET
IRF6611 DirectFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRF646_R4943 功能描述:MOSFET TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF647 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF650 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
IRF650A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-220AB
IRF650B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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