參數(shù)資料
型號： IRF6218PBF
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： JFETs
英文描述： 27 A, 150 V, 0.15 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： IRF6218PBF
IRF6218PbF
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
100000
C
,
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
VGS = 0V,
f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
-VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
-I
S
D
,
R
e
v
e
rs
e
D
ra
in
C
u
rr
e
n
t
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
-I
D
,
D
ra
in
-t
o
-S
o
u
rc
e
C
u
rr
e
n
t
(A
)
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100sec
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
0
10
20304050
607080
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
-V
G
S
,
G
a
te
-t
o
-S
o
u
rc
e
V
o
lt
a
g
e
(V
)
VDS= 120V
VDS= 75V
VDS= 30V
ID= -16A
Document Number: 91331
www.vishay.com
4
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PDF描述
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