參數(shù)資料
型號(hào)： IRF614STRL
廠商： VISHAY SILICONIX
元件分類： JFETs
英文描述： 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 172K
代理商： IRF614STRL
www.vishay.com
Document Number: 91026
6
S11-1063-Rev. C, 30-May-11
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IRF614S, SiHF614S
Vishay Siliconix
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
Rg
IAS
0.01
Ω
tp
D.U.T
L
V
DS
+
-
V
DD
10 V
Vary tp to obtain
required IAS
IAS
VDS
VDD
VDS
tp
140
0
40
60
80
100
120
25
150
125
100
75
50
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
E
AS
,Single
Pulse
Energy
(mJ)
Bottom
Top
I
D
1.2 A
1.7 A
2.7 A
V
DD = 50 V
91026_12c
20
Q
GS
Q
GD
Q
G
VG
Charge
10 V
D.U.T.
3 mA
V
GS
V
DS
I
G
I
D
0.3 F
0.2 F
50 k
Ω
12 V
Current regulator
Current sampling resistors
Same type as D.U.T.
+
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6218PBF 27 A, 150 V, 0.15 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF712R 1.7 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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IRF730ASTRRPBF 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF7341IPBF 4.7 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF614STRR 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF615 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-220AB
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