參數(shù)資料
型號(hào)： IRF5803D2PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode
中文描述： FETKY㈢MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
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代理商： IRF5803D2PBF
8
www.irf.com
Schottky Diode Characteristics
Fig. 18
- Typical Values of
Reverse Current Vs. Reverse Voltage
Fig. 17
- Maximum Forward Voltage Drop
Characteristics
1
10
100
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
2.2
I
F
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
R
125°C
100°C
75°C
50°C
25°C
R
T = 150°C
Reverse Voltage - V (V)
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
T
J
Reverse Voltage - V (V)
T = 25°C
Fig. 19 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF5803TR 功能描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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