參數(shù)資料
型號： IRF5803D2PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode
中文描述： FETKY㈢MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： IRF5803D2PBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Power Mosfet Characteristics
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
500
1000
1500
2000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 100 KHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
-3.4A
V
=-20V
DS
V
=-32V
DS
0.1
1
10
100
0.4
0.8
1.2
1.6
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
°
1
10
100
-VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
-D
TA = 25°C
TJ = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6100PBF HEXFET Power MOSFET
IRF610PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF620PBF HEXFET Power MOSFET
IRF620SPBF HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80ヘ , ID=5.2A )
IRF6215LPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF5803D2TR 功能描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF5803D2TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
IRF5803D2TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 112mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF5803PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P-Channel 40V 3.4A TSOP6
IRF5803TR 功能描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*