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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF520VLPbF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | IRF520VLPBF |
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
25
50
75
100
125
150
175
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
T , Case Temperature
(°
I
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF520VSPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF5210LPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF5210SPBF | HEXFET Power MOSFET |
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| IRF5305SPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRF520VSTRL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-263AB |
| IRF520VSTRR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-263AB |
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