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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF4905PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 184K |
| 代理商： | IRF4905PBF |
IRF4905PbF
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IRF520VSPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF5210LPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRF4905PBF-EL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF4905S | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D2-PAK |
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| IRF4905STRL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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