參數資料
型號： IRF4905PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 4/8頁
文件大小： 184K
代理商： IRF4905PBF
IRF4905PbF
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
G
A
-
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = -38A
V = -44V
V = -28V
1
10
100
1000
0.4
0.6
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
T = 25°C
V = 0V
S
A
-
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10ms
A
-
D
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
100μs
1ms
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
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PDF描述
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