參數資料
型號： IRF4104SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 3/13頁
文件大?。?/td> 334K
代理商： IRF4104SPBF
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
Vs. Drain Current
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
4
6
8
10
12
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
A
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
0
20
40
60
80
100
ID, Drain-to-Source Current (A)
0
20
40
60
80
100
120
G
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 10V
380μs PULSE WIDTH
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PDF描述
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