參數(shù)資料
型號: IRF4104PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述: ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 6/13頁
文件大?。?/td> 334K
代理商: IRF4104PBF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
EA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF4104SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF4905PBF HEXFET Power MOSFET
IRF520NLPBF Advamced {rpcess Technology Surface Mount
IRF520NSPBF Advamced {rpcess Technology Surface Mount
IRF520VLPbF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRF4104S 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF4104SPBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF4104SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:140W
IRF420 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 400V 10A 2PIN TO-204AA - Bulk
IRF420-423 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V