參數(shù)資料
型號(hào): IRF4104PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述: ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 3/13頁(yè)
文件大?。?/td> 334K
代理商: IRF4104PBF
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
Vs. Drain Current
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
4
6
8
10
12
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
A
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
0
20
40
60
80
100
ID, Drain-to-Source Current (A)
0
20
40
60
80
100
120
G
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 10V
380μs PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF4104SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF4905PBF HEXFET Power MOSFET
IRF520NLPBF Advamced {rpcess Technology Surface Mount
IRF520NSPBF Advamced {rpcess Technology Surface Mount
IRF520VLPbF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF4104S 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF4104SPBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF4104SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:140W
IRF420 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 400V 10A 2PIN TO-204AA - Bulk
IRF420-423 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V