參數(shù)資料
型號： IRF3710Z
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 270K
代理商： IRF3710Z
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
vs. Drain Current
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
TOP
BOTTOM
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
TOP
BOTTOM
2
4
6
8
10
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0
1
10
100
1000
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
0
10
20
30
40
50
60
70
ID, Drain-to-Source Current (A)
0
20
40
60
80
100
120
GF
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3710ZL AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3710ZS AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3711ZCL HEXFET Power MOSFET
IRF3711ZCS HEXFET Power MOSFET
IRF3711 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
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參數(shù)描述
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IRF3710ZHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF3710ZLPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 82nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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