參數(shù)資料
型號： IRF3709
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）最大值\u003d 9.0mohm，身份證\u003d 90A型）
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： IRF3709
IRF3709/3709S/3709L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
30A
V
= 6V
DS
V
= 15V
DS
V
= 24V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
1
10
100
1000
D
10000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 °
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
0
1000
2000
3000
4000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
相關PDF資料
PDF描述
IRF3709L Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
IRF3709S Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
IRF3710L Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
IRF3710S Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
IRF3710PBF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3709L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3709LPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3709PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3709S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3709SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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