參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3000PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 139K
代理商： IRF3000PBF
IRF3000PbF
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
100000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
10000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
0
5
10
15
20
25
30
QG Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
VG
VDS= 240V
VDS= 150V
VDS= 60V
ID= 0.96A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 14
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PDF描述
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