參數(shù)資料
型號： IRF3000PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： IRF3000PBF
IRF3000PbF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
2.0
–––
–––
22
–––
4.7
–––
11
–––
8.2
–––
7.2
–––
23
–––
23
–––
730
–––
100
–––
20
–––
940
–––
39
–––
87
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 0.96A
33 I
D
= 0.96A
7.1
nC
V
DS
= 240V
17
V
GS
= 10V,
–––
V
DD
= 150V
–––
I
D
= 0.96A
–––
R
G
= 2.2
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 240V, = 1.0MHz
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 240V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
47
1.9
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 0.96A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 0.96A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
86
250
1.5
130
380
V
ns
nC
Diode Characteristics
1.6
13
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.38 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
300
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
0.34 0.40
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 0.96A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 300V, V
GS
= 0V
V
DS
= 240V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
5.0
25
250
100
-100
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關PDF資料
PDF描述
IRF3007LPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3007SPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3202SPBF Zener Diode; Application: Low noise; Pd (mW): 250; Vz (V): 4.0 to 4.4; Condition Iz at Vz (mA): 0.5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: LLD
IRF3315LPbF HEXFET Power MOSFET
IRF3315SPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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