參數(shù)資料
型號(hào)： IRF2903Z
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 414K
代理商： IRF2903Z
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
Vs. Drain Current
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
4.5V
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
TOP
BOTTOM
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
4.5V
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
TOP
BOTTOM
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
ID
(
)
VDS = 25V
≤
60μs PULSE WIDTH
TJ = 25°C
TJ = 175°C
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
ID, Drain-to-Source Current (A)
0
40
80
120
160
200
240
G
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 10V
380μs PULSE WIDTH
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PDF描述
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