參數(shù)資料
型號： IRF2903Z
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 414K
代理商： IRF2903Z
2
www.irf.com
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
gfs
Forward Transconductance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
30
–––
–––
2.0
120
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.021
–––
1.9
2.4
–––
4.0
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
–––
-200
160
240
51
–––
58
–––
24
–––
100
–––
48
–––
37
–––
4.5
–––
V
V/°C
m
V
S
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
L
D
nC
ns
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 24V
nH
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6320
1980
1100
5930
2010
3050
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
75
A
–––
–––
1020
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
34
29
1.3
51
44
V
ns
nC
V
DS
= 10V, I
D
= 75A
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
I
D
= 75A
V
DS
= 24V
V
GS
= 10V
V
DD
= 15V
I
D
= 75A
R
G
= 3.2
Conditions
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 75A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 75A, V
DD
= 15V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 75A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 150μA
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