參數(shù)資料
型號: IRF2807ZLPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: AUTOMOTIVE MOSFET (75V, 94mOHM, 75A)
中文描述: 汽車MOSFET的(75V的,94mOHM,75A條)
文件頁數(shù): 8/12頁
文件大小: 290K
代理商: IRF2807ZLPBF
8
www.irf.com
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Recovery
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"!!
!"!!%"
#$$
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
&'
#
≤ 1
(
≤ 0.1 %
+
-
Fig 18a.
Switching Time Test Circuit
Fig 18b.
Switching Time Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF2807ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET (75V, 94mOHM, 75A)
IRF2807ZSPBF AUTOMOTIVE MOSFET (75V, 94mOHM, 75A)
IRF2807Z Advanced Process Technology
IRF2807ZL Advanced Process Technology
IRF2807ZS Advanced Process Technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF2807ZLPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF2807ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2807ZS 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF2807ZSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF2807ZSPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 71nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube