參數(shù)資料
型號： IRF2807ZL
廠商： International Rectifier
英文描述： Advanced Process Technology
中文描述： 先進的工藝技術(shù)
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大小： 280K
代理商： IRF2807ZL
10
www.irf.com
F530S
THIS IS AN IRF530S WITH
LOT CODE 8024
ASSEMBLED ON WW 02, 2000
IN THE ASSEMBLY LINE "L"
ASSEMBLY
LOT CODE
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 02
LINE L
Dimensions are shown in millimeters (inches)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF2807ZS Advanced Process Technology
IRF2807 Power MOSFET(Vdss=75V, Id=82A)
IRF2903Z HEXFET Power MOSFET
IRF2903ZL HEXFET Power MOSFET
IRF2903ZS HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF2807ZLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2807ZLPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF2807ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2807ZS 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF2807ZSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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