參數(shù)資料
型號(hào): IRF2807Z
廠商: International Rectifier
英文描述: Advanced Process Technology
中文描述: 先進(jìn)的工藝技術(shù)
文件頁(yè)數(shù): 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 280K
代理商: IRF2807Z
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
300
EA
ID
TOP 22A
38A
BOTTOM53A
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
VG
ID = 250μA
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IRF2807ZLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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