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參數(shù)資料
| 型號： | IRF2204SPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6mヘ , ID = 170A ) |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的RDS（on）\u003d 3.6米ヘ，身份證\u003d 170A章） |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 260K |
| 代理商： | IRF2204SPBF |
IRF2204S/LPbF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
30
60
90
120
150
0
2
4
6
8
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
130A
V
= 20V
DS
V
= 32V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 175 C
T = 25 C
°
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF2805LPbF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF2805SPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF2805L | ER 4C 4#12 PIN RECP WALL |
| IRF2805S | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRF2807LPbF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF2204STRL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB |
| IRF2204STRR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB |
| IRF221 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF222 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-3 |
| IRF223 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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