參數(shù)資料
型號： IRF1503PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁數(shù)： 9/9頁
文件大?。?/td> 174K
代理商： IRF1503PBF
www.irf.com
9
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
06/04
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for Automotive [Q101]
market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
TO-220AB package is not recommended for Surface Mount Application.
3- SOURCE
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
3X0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.64 (.104)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
1.15 (.045)
MIN
6.47 (.255)
6.10 (.240)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- A -
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
3X1.15 (.045)
2.54 (.100)
2X
0.36 (.014) M B A M
4
1 2 3
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH 4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS.
HEXFET
1- GATE
LEAD ASSIGNMENTS
IGBTs, CoPACK
1- GATE
Dimensions are shown in millimeters (inches)
EXAMPLE:
IN THE ASSEMBLY LINE "C"
THIS IS AN IRF1010
LOT C ODE 1789
ASSEMBLED ON WW 19, 1997
PART NUMBER
ASSEMBLY
LOT CODE
DATE CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
LINE C
LOGO
RECTIFIER
INTERNATIONAL
Note:
"P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
相關PDF資料
PDF描述
IRF1607 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0075ohm, Id=142A)
IRF2204 AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2804S-7P AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2807PBF Advanced Process Technology
IRF2807ZLPBF AUTOMOTIVE MOSFET (75V, 94mOHM, 75A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF1503S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRF1503SPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1503STRLPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1503STRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF150R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AVALANCHE ENERGY RATED N-CHANNEL POWER MOSFETS
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