參數(shù)資料
型號： IRF1405ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9mヘ , ID = 75A )
中文描述： 汽車MOSFET的（減振鋼板基本\u003d 55V的，的RDS（on）\u003d4.9米ヘ，身份證\u003d 75A條）
文件頁數(shù)： 4/13頁
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代理商： IRF1405ZPBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
20
40
60
80
100
120
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
VG
VDS= 44V
VDS= 28V
ID= 75A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
ID
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1405ZSPBF AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9mヘ , ID = 75A )
IRF1407LPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078ヘ , ID = 100A )
IRF1407SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078ヘ , ID = 100A )
IRF1407PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF1503PBF AUTOMOTIVE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF1405ZS-7P 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF1405ZS-7PPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1405ZSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF1405ZSPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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