參數(shù)資料
型號： IRF1312SPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： IRF1312SPBF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
25
50
75
100
125
150
175
0
100
200
300
400
500
E
A
°
ID
TOP
BOTTOM
23A
40A
57A
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1503SPBF HEXFET Power MOSFET
IRF1704 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A)
IRF1730G Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=3.7A)
IRFI730G HEXFET POWER MOSFET
IRF2204LPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6mヘ , ID = 170A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF1312STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF1312STRR 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AB
IRF131R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-204AA
IRF132 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF1324LPBF 功能描述:MOSFET 24V 1 N-CH HEXFET 1.65mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*