參數(shù)資料
型號： IRF1310N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.036ohm，身份證\u003d 42A條）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 96K
代理商： IRF1310N
IRF1310N
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
20
40
60
80
100
120
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
22A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
S
V = 0 V
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175 C
= 25 C
J
C
o
o
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1310S Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=41A)
IRF1404LPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1404ZLPbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1404ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF1310NL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 42A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF1310NLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IRF1310NLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 42A, 36 MOHM, 73.3 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 42A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 100V 42A TO262
IRF1310NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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