參數(shù)資料
型號(hào)： IRF1310N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.036ohm，身份證\u003d 42A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 96K
代理商： IRF1310N
IRF1310N
Parameter
Min. Typ. Max. Units
100
–––
–––
0.11
–––
––– 0.036
2.0
–––
14
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
11
–––
56
–––
45
–––
40
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 22A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 22A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 22A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 50V
I
D
= 22A
R
G
= 3.6
R
D
= 2.9
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
25
250
100
-100
110
15
58
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
1900 –––
450
230
–––
–––
pF
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
22A, di/dt
≤
180A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
Starting T
J
= 25°C, L = 1.7mH
R
G
= 25
, I
AS
= 22A. (See Figure 12)
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 22A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 22A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
180
1.2
1.3
270
1.8
V
ns
μC
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
42
140
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PDF描述
IRF1310S Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=41A)
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IRF1404ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET
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IRF1310NLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IRF1310NLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 42A, 36 MOHM, 73.3 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 42A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 100V 42A TO262
IRF1310NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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