- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385438 > IRF1302STRL (International Rectifier) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF1302STRL |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五（巴西）直| 174A章一（d）|對(duì)263AB |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 229K |
| 代理商： | IRF1302STRL |
IRF1302S/IRF1302L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
20
40
60
80
100
0
2
5
7
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
104A
V
= 16V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.7
1.2
1.7
2.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 175 C
T = 25 C
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF1302STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB |
| IRF1310NL | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A) |
| IRF1310NS | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A) |
| IRF1310N | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A) |
| IRF1310S | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=41A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF1302STRR | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB |
| IRF130R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-204AA |
| IRF130SMD | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
| IRF130SMD05 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel |
| IRF130SMD05N | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL POWER MOSFET FOR HI–REL APPLICATIONS |
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