參數(shù)資料
型號(hào)： IRC630-007
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-220VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 9.3AI（四）|對(duì)220VAR
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
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代理商： IRC630-007
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRC630-008 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-220VAR
IRC634-007 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | TO-220VAR
IRC634-008 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | TO-220VAR
IRC640-007 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220VAR
IRC640-008 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRC630-008 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-220VAR
IRC630PBF 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRC634 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.45ohm, Id=8.1A)
IRC634-007 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | TO-220VAR
IRC634-008 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | TO-220VAR
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