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參數(shù)資料
| 型號： | IRC640-008 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 18A條（?。﹟對220VAR |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | IRC640-008 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRC644-007 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220VAR |
| IRC644-008 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220VAR |
| IRC730-007 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220VAR |
| IRC730-008 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220VAR |
| IRC740-007 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 9.8A I(D) | TO-220VAR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRC640PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRC644 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A) |
| IRC644-007 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220VAR |
| IRC644-008 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220VAR |
| IRC644PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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