參數(shù)資料
型號： IPI05CNE8NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 473K
代理商： IPI05CNE8NG
IPB051NE8N G IPI05CNE8N G
IPP054NE8N G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
0.5
K/W
Thermal resistance,
R
thJA
minimal footprint
-
-
62
junction - ambient
6 cm
2
cooling area
5)
-
-
40
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=1 mA
85
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=250 μA
2
3
4
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=68 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
-
0.1
1
μA
V
DS
=68 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
-
10
100
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
-
1
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=10 V,
I
D
=100 A,
TO220, TO262
-
4.1
5.4
m
V
GS
=10 V,
I
D
=100 A,
TO263
-
3.8
5.1
Gate resistance
R
G
-
1.8
-
Transconductance
g
fs
|
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
,
I
D
=100 A
81
162
-
S
1)
J-STD20 and JESD22
5)
Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm
2
(one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
Values
4)
T
jmax
=150 °C and duty cycle D=0.01 for V
gs
<-5V
2)
Current is limited by bondwire; with an
R
thJC
=0.5 K/W the chip is able to carry 161 A.
3)
See figure 3
Rev. 1.04
page 2
2006-02-17
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB05CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI05CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB065N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPI05N03LA 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPI06CN10N G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI06CN10NG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor
IPI06CN10NGXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI06CNE8N G 功能描述:MOSFET N-CH 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*