型號(hào): | IPDH5N03LAG |
廠商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
英文描述: | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
中文描述: | 的OptiMOS㈢2功率晶體管 |
文件頁數(shù): | 6/10頁 |
文件大?。?/td> | 334K |
代理商: | IPDH5N03LAG |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IPDH6N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
IPFH6N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
IPDH9N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
IPF06N03LA | Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:61; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:24-61 |
IPF09N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IPDH5N03LAGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
IPDH6N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
IPDH6N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IPDH6N03LA_08 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
IPDH6N03LAG | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |