參數(shù)資料
型號(hào)： IPDH5N03LAG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 334K
代理商： IPDH5N03LAG
IPDH5N03LA G IPSH5N03LA G
Opti
MOS
2 Power-Transistor
Features
Ideal for high-frequency dc/dc converters
Qualified according to JEDEC
1)
for target application
N-channel, logic level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Superior thermal resistance
175 °C operating temperature
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
2)
50
A
T
C
=100 °C
50
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
3)
350
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=45 A,
R
GS
=25
225
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=50 A,
V
DS
=20 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
83
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
25
V
R
DS(on),max
(SMD version)
5.2
m
I
D
50
A
Product Summary
Type
IPDH5N03LA
IPSH5N03LA
Package
P-TO252-3-11
P-TO251-3-11
Marking
H5N03LA
H5N03LA
Rev. 1.3
page 1
2006-05-11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPDH6N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPFH6N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH9N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF06N03LA Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:61; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:24-61
IPF09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPDH5N03LAGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPDH6N03LA 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated
IPDH6N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPDH6N03LA_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated
IPDH6N03LAG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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