參數(shù)資料
型號： IPB05CN10NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大小： 526K
代理商： IPB05CN10NG
IPB05CN10N G IPI05CN10N G
IPP05CN10N G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
9050
12000 pF
Output capacitance
C
oss
-
1370
1820
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
75
112
Turn-on delay time
t
d(on)
-
28
42
ns
Rise time
t
r
-
42
63
Turn-off delay time
t
d(off)
-
64
96
Fall time
t
f
-
21
31
Gate Charge Characteristics
6)
Gate to source charge
Q
gs
-
46
61
nC
Gate to drain charge
Q
gd
-
32
48
Switching charge
Q
sw
-
51
73
Gate charge total
Q
g
-
136
181
Gate plateau voltage
V
plateau
-
5.1
-
V
Output charge
Q
oss
V
DD
=50 V,
V
GS
=0 V
-
145
193
nC
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
100
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
400
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=100 A,
T
j
=25 °C
-
1.0
1.2
V
Reverse recovery time
t
rr
-
110
ns
Reverse recovery charge
Q
rr
-
360
-
nC
6)
See figure 16 for gate charge parameter definition
V
R
=50 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=100 A/μs
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=50 V,
f
=1 MHz
V
DD
=50 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A,
R
G
=1.6
V
DD
=50 V,
I
D
=100 A,
V
GS
=0 to 10 V
Rev. 1.05
page 3
2006-06-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPI05CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB065N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB06CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB05CN10NG_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor
IPB05CN10NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB05N03L 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Buck converter series
IPB05N03LA 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPB05N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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