參數(shù)資料
型號(hào)： IPB051NE8NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大小： 473K
代理商： IPB051NE8NG
IPB051NE8N G IPI05CNE8N G
IPP054NE8N G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
10 V
0
3
6
9
12
15
0
50
100
150
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
50
100
150
200
250
300
0
2
4
6
8
V
GS
[V]
I
D
0
40
80
120
160
200
0
50
100
150
I
D
[A]
g
f
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
8 V
10 V
0
80
160
240
320
400
0
1
2
3
4
5
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.04
page 5
2006-02-17
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPI05CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI05CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB051NE8NG_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor Features N-channel, normal level 175 °C operating temperature
IPB051NE8NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB052N04N G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB052N04NG 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IPB052N04NGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
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