參數(shù)資料
型號: IPB050N06NG
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大?。?/td> 451K
代理商: IPB050N06NG
IPP050N06N G IPB050N06N G
13 Avalanche characteristics
14 Typ. gate charge
I
AS
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=100 A pulsed
parameter:
T
j(start)
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
12V
30 V
48 V
0
2
4
6
8
10
12
0
40
80
120
160
Q
gate
[nC]
V
G
50
55
60
65
70
75
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °C
100 °C
150 °C
10
3
10
2
10
1
10
0
10
3
10
2
10
1
10
0
t
AV
[μs]
I
A
Rev. 1.11
page 7
2006-07-06
相關PDF資料
PDF描述
IPB051NE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI05CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI05CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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