參數(shù)資料
型號： IPB048N06L
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 440K
代理商： IPB048N06L
IPP048N06L G IPB048N06L G
Opti
MOS
Power-Transistor
Features
For fast switching converters and sync. rectification
N-channel enhancement - logic level
175 °C operating temperature
Avalanche rated
Pb-free lead plating, RoHS compliant
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
1)
100
A
T
C
=100 °C
100
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
2)
400
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=100 A,
R
GS
=25
810
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=100 A,
V
DS
=48 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
300
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
2)
See figure 3
1)
Current is limited by bondwire; with an R
thJC
=0.5 the chip is able to carry 161A
V
DS
60
V
R
DS(on),max SMDversion
4.4
m
I
D
100
A
Product Summary
Type
IPP048N06L
IPB048N06L
Package
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
Marking
048N06L
048N06L
Rev. 1.11
page 1
2006-04-20
相關PDF資料
PDF描述
IPB048N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB04N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB04N03LA Circular Connector; No. of Contacts:10; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-10
IPB04N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB050N06L OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IPB048N06L G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB048N06LG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 100A TO263
IPB048N06LGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
IPB049N06L3 G 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB049N06L3G 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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