參數(shù)資料
型號(hào)： IPA60R385CP
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： CoolMOS Power Transistor
中文描述： 的CoolMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 272K
代理商： IPA60R385CP
IPA60R385CP
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous diode forward current
2)
I
S
A
Diode pulse current
3)
I
S,pulse
27
Reverse diode d
v
/d
t
5)
d
v
/d
t
15
V/ns
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
4
K/W
R
thJA
leaded
-
-
80
Soldering temperature,
wavesoldering only allowed at leads
T
sold
1.6 mm (0.063 in.)
from case for 10 s
-
-
260
°C
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 μA
600
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=0.34 mA
2.5
3
3.5
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
-
-
1
μA
-
10
-
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
-
-
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=10 V,
I
D
=5.2 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=5.2 A,
T
j
=150 °C
-
0.35
0.385
-
0.94
-
Gate resistance
R
G
f
=1 MHz, open drain
-
1.8
-
Values
Thermal resistance, junction -
ambient
Value
T
C
=25 °C
5.2
Rev. 1.5
page 2
2006-01-04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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