型號(hào): | IMX29F002BTI-70 |
廠商: | Macronix International Co., Ltd. |
英文描述: | 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
中文描述: | 200萬(wàn)位[256K × 8]的CMOS閃存 |
文件頁(yè)數(shù): | 21/49頁(yè) |
文件大小: | 911K |
代理商: | IMX29F002BTI-70 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IMX29F002TQI-70 | 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
IN4829 | STABISTORS Also, Tight Tolerance |
IN4830 | STABISTORS Also, Tight Tolerance |
IN5179 | STABISTORS Also, Tight Tolerance |
IN4156 | IC/53C318165 D 1MW 70 MP U9S |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IMX29F002TQI-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
IMX2G-AG6-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR |
IMX2L-AG6-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR |
IMX2T108 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL NPN 50V 150MA SOT-457 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
IMX3 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose (dual transistors) |