參數(shù)資料
型號： IHW15N120R
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
中文描述： 反向開展與IGBT的單片體二極管
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 370K
代理商： IHW15N120R
IHW15N120R
Soft Switching Series
q
Power Semiconductors
5
Rev. 2.1 July 06
I
C
,
C
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
0A
10A
20A
30A
40A
15V
7V
9V
11V
13V
V
GE
=20V
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
0A
10A
20A
30A
40A
15V
7V
9V
11V
13V
V
GE
=20V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristic
(
T
j
= 25°C)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristic
(
T
j
= 175°C)
I
C
,
C
0V
2V
4V
6V
8V
10V
12V
0A
10A
20A
30A
40A
25°C
T
J
=175°C
V
C
C
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
I
C
=15A
I
C
=30A
I
C
=7.5A
V
GE
,
GATE-EMITTER
VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristic
(V
CE
=20V)
T
J
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of
junction temperature
(
V
GE
=15V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IHW15T120 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IHW20N120R2 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IHW20N120R Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IHW20T120 Soft Switching Series
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參數(shù)描述
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